服務(wù)熱線
010-86460119
歡迎訪問北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有限公司網(wǎng)站
全國(guó)統(tǒng)一服務(wù)熱線：
13911821020
產(chǎn)品中心您當(dāng)前的位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 改性塑料試驗(yàn)設(shè)備 > 電弱點(diǎn)測(cè)試儀 > HCRD-2電弱點(diǎn)測(cè)試儀器
基礎(chǔ)信息Product information
產(chǎn)品名稱：
電弱點(diǎn)測(cè)試儀器
產(chǎn)品型號(hào)：HCRD-2
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
所在地：北京市
更新日期：2024-08-30
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
HCRD-2型電弱點(diǎn)測(cè)試儀器采用計(jì)算機(jī)控制，通過人機(jī)對(duì)話方式，本產(chǎn)品是根據(jù)IEC 60674-2:2009 電氣用塑料薄膜 第2部分：試驗(yàn)方法及其第1次修正（2001）和 GB/T13542-92《電氣用塑料薄膜試驗(yàn)方法》而設(shè)計(jì)的高壓試驗(yàn)裝置。主要用于電容器用聚脂薄膜、聚丙稀薄膜的電弱點(diǎn)測(cè)試。
產(chǎn)品特性Product characteristics
| 品牌 | 華測(cè) |
|---|
一、電弱點(diǎn)測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
電弱點(diǎn)測(cè)試儀儀器采用計(jì)算機(jī)控制，通過人機(jī)對(duì)話方式。主要用于電容器用聚脂薄膜、聚丙稀薄膜的電弱點(diǎn)測(cè)試。電氣用塑料薄膜的生產(chǎn)過程中，會(huì)出現(xiàn)薄膜穿孔、導(dǎo)電顆粒積聚、劃傷等影響電氣性能的電弱點(diǎn)。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)《GB/T 13541-92電氣用塑料薄膜試驗(yàn)方法》，電氣用塑料薄膜要求進(jìn)行電弱點(diǎn)測(cè)試，在給定直流電壓下每平方米的擊穿點(diǎn)（電弱點(diǎn)）數(shù)成為衡量薄膜成量的重要指標(biāo)。設(shè)計(jì)的薄膜電弱點(diǎn)測(cè)試儀，無須將膜卷分切成小卷，根據(jù)薄膜的使用寬度直接進(jìn)行電弱點(diǎn)測(cè)試。由于薄膜在生 過程中極易引起縱向劃傷，該儀器引用“電 弱線"概念，即在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)檢測(cè)到的試樣漏電 流均超過1mA時(shí)，認(rèn)定為該薄膜試樣在生產(chǎn)過 程中存在縱向劃痕，從而產(chǎn)生“電弱線"，測(cè)試儀統(tǒng) 計(jì)的電弱點(diǎn)總數(shù)為電弱點(diǎn)數(shù)與電弱線數(shù)之和。
二、電弱點(diǎn)測(cè)試儀主要特點(diǎn):
1、能根據(jù)薄膜的使用寬度進(jìn)行電弱點(diǎn)的測(cè)試，測(cè)試寬度可根據(jù)用戶的要求而設(shè)定，無須將膜分切成小卷，免除了許多外來因素對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。
2、測(cè)試數(shù)據(jù)能真實(shí)地反映薄膜的質(zhì)量水平。
3、主要元器件均選用如歐姆龍，美信，ABB等，有效地保證了設(shè)備的可靠性、耐用性和穩(wěn)定性。
4、測(cè)量，復(fù)現(xiàn)性好。
5、測(cè)試過程采用電子技術(shù)全自動(dòng)控制，遇到電弱點(diǎn)時(shí)電壓切斷動(dòng)作迅速。
6、擊穿電流在0～40mA連續(xù)可調(diào)，復(fù)現(xiàn)性好。
7、多重保護(hù)功能，充分考慮了操作人員及設(shè)備的安全性。
8、過壓、過流、接地保護(hù)，試驗(yàn)平臺(tái)門開啟保護(hù)。
五、儀器參數(shù)
試驗(yàn)電壓 | 0～5000V （AC、DC） | 輸入電壓 | 220V |
電壓精度 | ±1% | 有效測(cè)量范圍 | 0～5kV（ACDC） |
保護(hù)電流 | 0～40mA | 電流精度 | ±1% |
膜移動(dòng)速度 | 3-10m/min 連續(xù)可調(diào) | 試樣寬度 | 60～650mm(可調(diào)) |
高壓防護(hù) | TVS | 升壓方式 | SPWM |
控制系統(tǒng) | 嵌入式工控機(jī) | 控制方式 | 觸摸屏 |
功率 | 1kW | 數(shù)據(jù)傳輸 | 2個(gè)USB接口 |
儀器尺寸 | 220 mm x 230 mm x 70 mm | 供電方式 | 220V（50HZ） |
1、TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)：
采用的光耦隔離方式，但光耦與隔離無非是提高儀器的采集的抗干擾處理,對(duì)于電弧放電過程中的浪涌對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。華測(cè)的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，將起到對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)。
2、低通濾波電流監(jiān)測(cè)技術(shù):
高壓壓放電過程中將產(chǎn)生高頻信號(hào)。而采集過程中無法將高頻信號(hào)處理時(shí)，從而造成檢測(cè)不。無論是采用磁通門或霍爾原理所設(shè)計(jì)的傳感器存在材料產(chǎn)生弱點(diǎn)后后瞬間輸出電壓或電流信號(hào)過大，從而燒壞控制系統(tǒng)的采集部分。華測(cè)開發(fā)的電流采集傳感器將高頻雜波信號(hào)進(jìn)行相應(yīng)處理。
3、雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù)：
采用雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)應(yīng)用于電弱點(diǎn)儀器，此儀器不僅具備過壓、過流保護(hù)系統(tǒng)，它雙系統(tǒng)互鎖機(jī)制，當(dāng)任何元器件出現(xiàn)問題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí)，將瞬間切斷高壓，對(duì)控制系統(tǒng)防護(hù)。
電弱點(diǎn)測(cè)試儀器
電弱點(diǎn)測(cè)試儀器
