高溫四探針測試儀是研究高溫條件下半導體或絕緣材料導電性能的測試儀器，可以實現(xiàn)高溫、真空、氣氛條件下測量薄膜方塊電阻、電阻率，可以實現(xiàn)常溫、變溫、恒溫條件的I-V、R-T、R-t等測量功能，可以分析電阻率pv與溫度T變化的曲線，一體化集成設計，是用于變溫、真空及氣氛條件下測試半導體材料電學性能的測量系統(tǒng)。
 

　　高溫四探針測試儀采用手動升降平臺，該平臺可以將樣品和電極夾具一起沉降到高溫爐中，并保證樣品和測量傳感器盡可能接近，確保測量溫度與樣品溫度的一致性；高溫爐膛采用纖維一體開模鑄造而成，內(nèi)部配有超溫報警電路，確保爐膛不易燒壞。采用由四探針雙電測量方法測試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫試驗箱結(jié)合配置專用的高溫測試探針治具，滿足半導體材料因溫度變化對電阻值變化的測量要求，通過測控軟件可以顯示出溫度與電阻，電阻率，電導率數(shù)據(jù)的變化曲線，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質(zhì)量的一種重要的工具。
 

　　高溫四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國A.S.T.M標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高精確度，也可應用于產(chǎn)品檢測以及新材料電學性能研究等用途。