高溫四探針測(cè)試儀可以實(shí)現(xiàn)高溫、真空及惰性氣氛條件下測(cè)量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其他導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。
 

　　那么高溫四探針測(cè)試儀的測(cè)量原理是什么呢？
 

　　測(cè)量電阻率的方法很多，如三探針?lè)?、電?nbsp;-電壓法、擴(kuò)展電阻法等，四探針?lè)▌t是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法，高溫四探針測(cè)試儀采用經(jīng)典直排四探針原理，同時(shí)采用了雙電測(cè)組合四探針?lè)ā?br /> 

　　直排四探針?lè)?br /> 

　　經(jīng)典的直排四探針?lè)y(cè)試電阻率，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針有游移，就會(huì)造成實(shí)驗(yàn)誤差。當(dāng)被測(cè)片較小或在大片邊緣附近測(cè)量時(shí)，要求計(jì)入電場(chǎng)畸變的影響進(jìn)行邊界修正。
 

　　采用雙電測(cè)組合四探針的出現(xiàn)，為提高薄膜電阻和體電阻率測(cè)量度創(chuàng)造了有利條件。

　　目前雙電測(cè)組合(亦稱雙位組合)四探針?lè)ㄓ腥N模式：模式(1)，模式(2)，模式(3)，高溫四探針測(cè)試儀采用模式(2)，通過(guò)用計(jì)算機(jī)對(duì)三種模式的理論進(jìn)行比較研究的結(jié)果表明：對(duì)無(wú)窮大被測(cè)片三種模式都一樣，可是測(cè)量小片或大片邊緣位置時(shí)，模式(2)更好，它能自動(dòng)消除邊界影響，略優(yōu)于模式(3)，更好于模式(1)。
 

　　那么高溫四探針測(cè)試儀采用雙電測(cè)組合四探針?lè)ㄓ心男﹥?yōu)勢(shì)呢？
 

　　1、采用雙電測(cè)組合四探針?lè)ㄟM(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果與探針間距無(wú)關(guān)，能夠消除間距不等及針尖機(jī)械游移變化的影響，因此四探針測(cè)試臺(tái)允許使用不等距探針頭。
 

　　2、采用雙電測(cè)組合四探針?lè)ň哂凶詣?dòng)修正邊界效應(yīng)的功能，對(duì)小尺寸被測(cè)片或探針在較大樣品邊緣附近時(shí)，不需要對(duì)樣品做幾何測(cè)量，也不必尋找修正因子。
 

　　3、采用雙電測(cè)組合四探針?lè)?，不移?dòng)四探針針頭，同時(shí)使用三種模式測(cè)量，即可計(jì)算得到測(cè)試部位的電阻均勻性。